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半導体は、熱、光、ドーピング、p-n 接合の作成、電界の印加によって変化する電荷キャリアの濃度と移動を操作することにより、材料を流れる電流を制御することで機能します。

シリコン (Si) は、エレクトロニクス業界で最も広く使用されている半導体材料です。 バンドギャップは 1.1 電子ボルト (eV) で、これは電子デバイスに最適な値です。

ゲルマニウム (Ge) は、シリコンが広く普及する前の、半導体技術の初期に電子デバイスに広く使用されていた半導体材料です。

ガリウムヒ素 (GaAs) は、さまざまな電子用途で使用される半導体材料です。 シリコンに比べて、より高い電子移動度、より高い動作周波数、放射線損傷に対する優れた耐性など、いくつかの利点があります。

半導体は通常、半導体製造または「半導体製造」と呼ばれるプロセスを使用して製造されます。 ここでは、このプロセスに含まれる基本的な手順を説明します。

半導体デバイスは、シリコンなどの半導体材料から作られたダイオードやトランジスタなどの電子部品です。

集積回路またはマイクロチップとも呼ばれる半導体チップは、シリコンなどの半導体材料で作られた小型の電子デバイスで、多くのトランジスタ、ダイオード、コンデンサが単一の基板上で相互接続されています。

半導体ダイオードは、一方向にのみ電流を流す電子部品の一種です。 pn接合で作られています。

ETP (電解タフピッチ) 銅は、電気配線などの電気用途で一般的に使用される高純度の銅です。

アルミニウムは軽量、コスト効率、耐食性、導電性を兼ね備えているため、架空送電線に理想的な素材です。