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電子アクセプタ原子がドープされた外部半導体は、結晶内のほとんどの電荷キャリアが電子正孔（正電荷キャリア）であるため、p 型半導体と呼ばれます。

半導体の理論は、結晶格子構造における電子と正孔の挙動に基づいています。 この理論は電子バンド構造として知られています。

半導電性とは、特定の材料（半導体）が特定の条件下でのみ電気を通す能力を指します。

半導体は、導体と絶縁体の中間の導電性を有する材料であり、幅広い電子用途に役立ちます。

半導体の主な特性は導電率とバンドギャップであり、これらはドーピング、温度、印加電場によって制御されます。

半導体は、その電子特性に基づいて、固有と外部の 2 つの基本的なタイプに分類できます。 外部半導体はさらに 2 つのタイプに分類できます。

真性半導体は、重大なドーパント種を含まず、完全に純粋です。 したがって、真性半導体は純粋半導体または i 型半導体とも呼ばれます。

外部半導体、またはドープ半導体は、電気的、光学的、構造的特性を調整するために意図的にドープされた半導体です。

JFET (接合電界効果トランジスタ) は、電界を使用して 2 つの半導体領域 (N 型と P 型) 間の導電チャネルの幅を制御することで動作するトランジスタの一種です。

MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) は、電界を使用して 2 つの半導体領域間の導電チャネルの幅を制御することで動作するトランジスタの一種です。