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반도체는 열, 빛, 도핑, p-n 접합 생성 및 전기장 적용에 의해 변경될 수 있는 전하 캐리어의 농도와 이동을 조작하여 재료를 통한 전류 흐름을 제어함으로써 작동합니다.

실리콘(Si)은 전자 산업에서 가장 널리 사용되는 반도체 소재입니다. 전자소자에 최적인 밴드갭은 1.1전자볼트(eV)이다.

게르마늄(Ge)은 실리콘이 널리 채택되기 전, 반도체 기술 초기에 전자 기기에 널리 사용되었던 반도체 소재입니다.

갈륨비소(GaAs)는 다양한 전자 응용 분야에 사용되는 반도체 재료입니다. 실리콘에 비해 더 높은 전자 이동도, 더 높은 작동 주파수, 더 나은 방사선 손상 저항성을 포함하여 여러 가지 장점이 있습니다.

반도체는 일반적으로 반도체 제조 또는 “반도체 제조”라는 프로세스를 사용하여 만들어집니다. 프로세스와 관련된 기본 단계는 다음과 같습니다.

반도체 장치는 실리콘과 같은 반도체 재료로 만들어진 다이오드나 트랜지스터와 같은 전자 부품입니다.

집적 회로 또는 마이크로칩이라고도 알려진 반도체 칩은 실리콘과 같은 반도체 재료로 만들어진 작은 전자 장치로, 단일 기판에 모두 상호 연결된 많은 트랜지스터, 다이오드 및 커패시터를 포함합니다.

반도체 다이오드는 전류가 한 방향으로만 흐르도록 하는 전자 부품의 일종입니다. p-n 접합으로 만들어졌습니다.

ETP(Electrolytic Tough Pitch) 구리는 전기 배선과 같은 전기 응용 분야에 일반적으로 사용되는 고순도 구리입니다.

알루미늄은 경량성, 경제성, 내식성, 전도성이 결합되어 가공 전력선에 이상적인 소재입니다.