{"id":80748,"date":"2024-01-14T13:17:56","date_gmt":"2024-01-14T13:17:56","guid":{"rendered":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/semicondutores-tipo-n-definicao-caracteristicas-e-tipos\/"},"modified":"2024-01-20T10:02:22","modified_gmt":"2024-01-20T10:02:22","slug":"semicondutores-tipo-n-definicao-caracteristicas-e-tipos","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/pt-br\/semicondutores-tipo-n-definicao-caracteristicas-e-tipos\/","title":{"rendered":"Semicondutores tipo n | Defini\u00e7\u00e3o, caracter\u00edsticas e tipos"},"content":{"rendered":"<h2>Semicondutores do Tipo N<\/h2>\n<p>Os semicondutores s\u00e3o materiais org\u00e2nicos ou inorg\u00e2nicos com a capacidade de controlar sua condu\u00e7\u00e3o el\u00e9trica. Esta propriedade deriva de sua estrutura qu\u00edmica, temperatura, ilumina\u00e7\u00e3o e a presen\u00e7a de dopantes. Eles apresentam uma condutividade el\u00e9trica intermedi\u00e1ria entre um metal, como cobre ou ouro, e um isolante, como o vidro. Isso se deve ao fato de possu\u00edrem uma lacuna de energia menor que 4eV (aproximadamente 1eV). Em f\u00edsica do estado s\u00f3lido, esta lacuna, ou banda proibida, \u00e9 uma faixa de energia entre a banda de val\u00eancia e a banda de condu\u00e7\u00e3o onde estados de el\u00e9trons s\u00e3o proibidos.<\/p>\n<h2>Tipos de Semicondutores<\/h2>\n<p>Os semicondutores podem ser classificados em dois tipos b\u00e1sicos, baseados em suas propriedades eletr\u00f4nicas:<\/p>\n<ul>\n<li><strong>Semicondutores Intr\u00ednsecos:<\/strong> S\u00e3o semicondutores puros, compostos por um \u00fanico elemento (como Sil\u00edcio ou Germ\u00e2nio), sem doping intencional com impurezas. Eles conduzem eletricidade quando aquecidos, permitindo que alguns el\u00e9trons ganhem energia suficiente para se libertarem de seus la\u00e7os e se tornarem el\u00e9trons livres na banda de condu\u00e7\u00e3o.<\/li>\n<li><strong>Semicondutores Extr\u00ednsecos:<\/strong> S\u00e3o semicondutores impuros, dopados intencionalmente com impurezas para alterar suas propriedades eletr\u00f4nicas. Os semicondutores extr\u00ednsecos dividem-se em:\n<ul>\n<li><strong>Semicondutores do Tipo P:<\/strong> Neles, \u00e1tomos de impurezas como boro s\u00e3o introduzidos no material semicondutor. Essas impurezas possuem menos el\u00e9trons de val\u00eancia que o material semicondutor, resultando na cria\u00e7\u00e3o de &#8220;buracos&#8221; (aus\u00eancia de el\u00e9trons) na banda de val\u00eancia.<\/li>\n<li><strong>Semicondutores do Tipo N:<\/strong> Neste tipo, \u00e1tomos de impurezas como f\u00f3sforo s\u00e3o introduzidos no material semicondutor. Estes \u00e1tomos possuem mais el\u00e9trons de val\u00eancia que o material semicondutor, criando el\u00e9trons excedentes na banda de condu\u00e7\u00e3o.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<h2>Semicondutores do Tipo N<\/h2>\n<p>Um semicondutor extr\u00ednseco dopado com \u00e1tomos doadores de el\u00e9trons \u00e9 chamado de semicondutor do tipo N, pois a maioria dos portadores de carga no cristal s\u00e3o el\u00e9trons negativos. Como o sil\u00edcio \u00e9 um elemento tetravalente, sua estrutura cristalina normal cont\u00e9m 4 liga\u00e7\u00f5es covalentes de quatro el\u00e9trons de val\u00eancia. Os dopantes mais comuns no sil\u00edcio s\u00e3o elementos dos grupos III e V. Elementos do grupo V (pentavalentes) t\u00eam cinco el\u00e9trons de val\u00eancia, permitindo que atuem como doadores. Assim, adicionar essas impurezas pentavalentes como ars\u00eanico, antim\u00f4nio ou f\u00f3sforo contribui com el\u00e9trons livres, aumentando significativamente a condutividade do semicondutor intr\u00ednseco.<\/p>\n<p>Por exemplo, um cristal de sil\u00edcio dopado com boro (grupo III) cria um semicondutor do tipo P, enquanto um cristal dopado com f\u00f3sforo (grupo V) resulta em um semicondutor do tipo N. Os el\u00e9trons de condu\u00e7\u00e3o s\u00e3o completamente dominados pelo n\u00famero de el\u00e9trons doadores. Portanto, o n\u00famero total de el\u00e9trons de condu\u00e7\u00e3o \u00e9 aproximadamente igual ao n\u00famero de s\u00edtios doadores, n\u2248N<sub>D<\/sub>. A neutralidade de carga do material semicondutor \u00e9 mantida porque os s\u00edtios doadores excitados equilibram os el\u00e9trons de condu\u00e7\u00e3o. O resultado \u00e9 que o n\u00famero de el\u00e9trons de condu\u00e7\u00e3o aumenta enquanto o n\u00famero de buracos \u00e9 reduzido. O desequil\u00edbrio na concentra\u00e7\u00e3o de portadores nas respectivas bandas \u00e9 expresso pela diferen\u00e7a no n\u00famero absoluto de el\u00e9trons e buracos. Os el\u00e9trons s\u00e3o portadores majorit\u00e1rios, enquanto os buracos s\u00e3o portadores minorit\u00e1rios em material do tipo N.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" src=\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/wp-content\/uploads\/2022\/01\/logo.png\" alt=\"\" \/><\/p>\n<div style=\"text-align: center; font-size: 20px;\">\n    <a href=\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/n-type-semiconductors\/\">Original Article<\/a>\n<\/div>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Um semicondutor extr\u00ednseco dopado com \u00e1tomos doadores de el\u00e9trons \u00e9 chamado de semicondutor tipo n porque a maioria dos portadores de carga no cristal s\u00e3o el\u00e9trons negativos.<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":1581,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_generate-full-width-content":"","footnotes":""},"categories":[14],"tags":[],"class_list":["post-80748","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-nao-categorizado","generate-columns","tablet-grid-50","mobile-grid-100","grid-parent","grid-50"],"yoast_head":"<!-- This site is optimized with the Yoast SEO plugin v17.9 - 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