\nSemicondutores tipo-p<\/strong>: Aqui, \u00e1tomos de impureza como o boro s\u00e3o introduzidos no material semicondutor. Essas impurezas t\u00eam menos el\u00e9trons de val\u00eancia do que o material do semicondutor, resultando na cria\u00e7\u00e3o de “buracos” (aus\u00eancia de el\u00e9trons) na banda de val\u00eancia, que podem conduzir corrente como portadores de carga positiva.<\/p>\n
Semicondutores tipo-n<\/strong>: Neste caso, \u00e1tomos de impureza como o f\u00f3sforo s\u00e3o introduzidos. Essas impurezas t\u00eam mais el\u00e9trons de val\u00eancia do que o material semicondutor, criando el\u00e9trons excedentes na banda de condu\u00e7\u00e3o, que podem conduzir corrente como portadores de carga negativa.<\/p>\n A tabela a seguir apresenta 3 semicondutores intr\u00ednsecos e 2 tipos de semicondutores extr\u00ednsecos (p e n), com 4 propriedades-chave:<\/p>\n Os semicondutores extr\u00ednsecos ou dopados s\u00e3o semicondutores intencionalmente dopados para modificar suas propriedades el\u00e9tricas, \u00f3pticas e estruturais. Por exemplo, em detectores de radia\u00e7\u00e3o ionizante, a dopagem visa alterar as propriedades el\u00e9tricas do semicondutor intr\u00ednseco. A adi\u00e7\u00e3o de uma pequena percentagem de \u00e1tomos estrangeiros na estrutura cristalina do sil\u00edcio ou germ\u00e2nio provoca mudan\u00e7as significativas nas suas propriedades el\u00e9tricas, j\u00e1 que estes \u00e1tomos fornecem portadores de carga livres (el\u00e9trons ou buracos de el\u00e9trons) no semicondutor. Os semicondutores, sejam intr\u00ednsecos ou extr\u00ednsecos, desempenham um papel crucial na tecnologia moderna, desde a computa\u00e7\u00e3o at\u00e9 a detec\u00e7\u00e3o de radia\u00e7\u00e3o. A compreens\u00e3o de suas propriedades e aplica\u00e7\u00f5es \u00e9 fundamental para o avan\u00e7o da eletr\u00f4nica e dos materiais semicondutores.<\/p>\nPropriedades dos Semicondutores<\/h2>\n
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\n Semicondutor<\/th>\n Tipo<\/th>\n Lacuna de Energia (eV)<\/th>\n Mobilidade dos El\u00e9trons (cm2<\/sup>\/V.s)<\/th>\n Mobilidade dos Buracos (cm2<\/sup>\/V.s)<\/th>\n Condutividade T\u00e9rmica (W\/mK)<\/th>\n<\/tr>\n \n Sil\u00edcio (Si)<\/td>\n Intr\u00ednseco<\/td>\n 1.12<\/td>\n 1500<\/td>\n 450<\/td>\n 150<\/td>\n<\/tr>\n \n Germ\u00e2nio (Ge)<\/td>\n Intr\u00ednseco<\/td>\n 0.67<\/td>\n 3900<\/td>\n 1900<\/td>\n 60<\/td>\n<\/tr>\n \n Arsenieto de G\u00e1lio (GaAs)<\/td>\n Intr\u00ednseco<\/td>\n 1.43<\/td>\n 8500<\/td>\n 400<\/td>\n 46<\/td>\n<\/tr>\n \n Sil\u00edcio dopado com Boro (p-Si)<\/td>\n p-tipo<\/td>\n 1.12<\/td>\n 1500<\/td>\n 1800<\/td>\n 150<\/td>\n<\/tr>\n \n Sil\u00edcio dopado com F\u00f3sforo (n-Si)<\/td>\n n-tipo<\/td>\n 1.12<\/td>\n 1500<\/td>\n 4500<\/td>\n 150<\/td>\n<\/tr>\n
\n<\/table>\nSemicondutores Extr\u00ednsecos \u2013 Detalhes e Aplica\u00e7\u00f5es<\/h2>\n
\nNo caso dos semicondutores tipo-n, os \u00e1tomos doadores resultam em um aumento do n\u00famero de el\u00e9trons, enquanto nos semicondutores tipo-p, os \u00e1tomos aceitadores aumentam o n\u00famero de buracos. Esses semicondutores s\u00e3o componentes fundamentais de v\u00e1rios dispositivos el\u00e9tricos e detectores de radia\u00e7\u00e3o ionizante. Por exemplo, um diodo semicondutor, que permite a corrente em apenas uma dire\u00e7\u00e3o, geralmente consiste em semicondutores tipo-p e tipo-n em jun\u00e7\u00e3o um com o outro.<\/p>\nConclus\u00e3o<\/h2>\n
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