{"id":80742,"date":"2024-01-14T13:17:34","date_gmt":"2024-01-14T13:17:34","guid":{"rendered":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/semicondutor-de-germanio-propriedades-e-aplicacao\/"},"modified":"2024-01-20T10:02:04","modified_gmt":"2024-01-20T10:02:04","slug":"semicondutor-de-germanio-propriedades-e-aplicacao","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/pt-br\/semicondutor-de-germanio-propriedades-e-aplicacao\/","title":{"rendered":"Semicondutor de germ\u00e2nio | Propriedades e aplica\u00e7\u00e3o"},"content":{"rendered":"<h2>Semicondutores de Germ\u00e2nio e a Vis\u00e3o Geral dos Semicondutores<\/h2>\n<p>Os semicondutores, materiais inorg\u00e2nicos ou org\u00e2nicos, desempenham um papel crucial no mundo da tecnologia, controlando sua condu\u00e7\u00e3o com base na estrutura qu\u00edmica, temperatura, ilumina\u00e7\u00e3o e presen\u00e7a de dopantes. Estes materiais apresentam uma condutividade el\u00e9trica entre um metal, como cobre ou ouro, e um isolante, como o vidro, com uma lacuna de energia menor que 4eV (aproximadamente 1eV).<\/p>\n<p>Na f\u00edsica do estado s\u00f3lido, essa lacuna de energia, ou banda proibida, \u00e9 a faixa entre a banda de val\u00eancia e a banda de condu\u00e7\u00e3o onde os estados de el\u00e9trons s\u00e3o proibidos. Diferente dos condutores, os el\u00e9trons dos semicondutores necessitam de energia (por exemplo, de radia\u00e7\u00e3o ionizante) para cruzar a banda proibida e alcan\u00e7ar a banda de condu\u00e7\u00e3o. Suas propriedades s\u00e3o definidas pela lacuna de energia entre as bandas de val\u00eancia e de condu\u00e7\u00e3o.<\/p>\n<h2>Semicondutor de Germ\u00e2nio<\/h2>\n<p>O Germ\u00e2nio (Ge) \u00e9 um material semicondutor que foi amplamente utilizado em dispositivos eletr\u00f4nicos nos prim\u00f3rdios da tecnologia de semicondutores, antes da ado\u00e7\u00e3o generalizada do sil\u00edcio. O germ\u00e2nio possui uma banda proibida de 0.67 eV, menor que a do sil\u00edcio (1.1 eV) e arsenieto de g\u00e1lio (1.4 eV). Uma das principais vantagens do germ\u00e2nio \u00e9 sua alta mobilidade de el\u00e9trons, superando a do sil\u00edcio. Isso permite maiores velocidades de el\u00e9trons e comuta\u00e7\u00f5es mais r\u00e1pidas, adequadas para dispositivos eletr\u00f4nicos de alta frequ\u00eancia como receptores de r\u00e1dio e transistores.<\/p>\n<p>O germ\u00e2nio tamb\u00e9m apresenta excelentes propriedades \u00f3pticas, sendo adequado para detectores infravermelhos e outros dispositivos optoeletr\u00f4nicos. Possui um alto coeficiente de absor\u00e7\u00e3o para luz no espectro infravermelho, tornando-o altamente sens\u00edvel \u00e0 radia\u00e7\u00e3o infravermelha. Contudo, sua baixa estabilidade t\u00e9rmica e maior suscetibilidade a impurezas limitam seu uso em aplica\u00e7\u00f5es de alta temperatura. Embora o germ\u00e2nio tenha sido em grande parte substitu\u00eddo pelo sil\u00edcio na maioria das aplica\u00e7\u00f5es de semicondutores, ele ainda \u00e9 usado em aplica\u00e7\u00f5es especializadas onde suas propriedades \u00fanicas s\u00e3o vantajosas.<\/p>\n<h2>Tipos de Semicondutores<\/h2>\n<p>Os semicondutores podem ser classificados em dois tipos b\u00e1sicos com base em suas propriedades eletr\u00f4nicas:<\/p>\n<ul>\n<li><strong>Semicondutores Intr\u00ednsecos:<\/strong> S\u00e3o semicondutores puros, constitu\u00eddos por um \u00fanico elemento (por exemplo, Sil\u00edcio, Germ\u00e2nio), sem dopagem intencional com impurezas. Eles conduzem eletricidade quando aquecidos, permitindo que alguns el\u00e9trons ganhem energia suficiente para se libertarem de suas liga\u00e7\u00f5es e tornarem-se el\u00e9trons livres na banda de condu\u00e7\u00e3o.<\/li>\n<li><strong>Semicondutores Extr\u00ednsecos:<\/strong> S\u00e3o semicondutores impuros, intencionalmente dopados com impurezas para alterar suas propriedades eletr\u00f4nicas. Eles podem ser classificados em:<\/li>\n<ul>\n<li><strong>p-tipo:<\/strong> Nesses semicondutores, \u00e1tomos de impureza como o boro s\u00e3o introduzidos no material semicondutor. Estas impurezas t\u00eam menos el\u00e9trons de val\u00eancia que o material semicondutor, resultando na cria\u00e7\u00e3o de &#8220;buracos&#8221; (aus\u00eancia de el\u00e9trons) na banda de val\u00eancia.<\/li>\n<li><strong>n-tipo:<\/strong> Nesses semicondutores, \u00e1tomos de impureza como o f\u00f3sforo s\u00e3o introduzidos no material semicondutor. Estas impurezas t\u00eam mais el\u00e9trons de val\u00eancia que o material semicondutor, resultando em el\u00e9trons excessivos na banda de condu\u00e7\u00e3o.<\/li>\n<\/ul>\n<\/ul>\n<h2>Propriedades-chave de Semicondutores Selecionados<\/h2>\n<p><img decoding=\"async\" src=\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/wp-content\/uploads\/2022\/01\/logo.png\" alt=\"\" \/><\/p>\n<div style=\"text-align: center; font-size: 20px;\">\n    <a href=\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/germanium-semiconductor\/\">Original Article<\/a>\n<\/div>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>O germ\u00e2nio (Ge) \u00e9 um material semicondutor amplamente utilizado em dispositivos eletr\u00f4nicos nos prim\u00f3rdios da tecnologia de semicondutores, antes da ampla ado\u00e7\u00e3o do sil\u00edcio.<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":1581,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_generate-full-width-content":"","footnotes":""},"categories":[14],"tags":[],"class_list":["post-80742","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-nao-categorizado","generate-columns","tablet-grid-50","mobile-grid-100","grid-parent","grid-50"],"yoast_head":"<!-- This site is optimized with the Yoast SEO plugin v17.9 - 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