Descubra o que s\u00e3o FETs (Transistores de Efeito de Campo), os diferentes tipos como JFET e MOSFET, e aprenda a usar suas equa\u00e7\u00f5es de corrente para projetar circuitos eletr\u00f4nicos.<\/p>\n
Antes de mergulharmos na equa\u00e7\u00e3o de corrente FET, \u00e9 importante entender o que \u00e9 um FET (Field-Effect Transistor). O FET \u00e9 uma esp\u00e9cie de transistor que controla a corrente el\u00e9trica atrav\u00e9s de um campo el\u00e9trico. Diferente dos transistores bipolares que s\u00e3o controlados por corrente, os FETs s\u00e3o controlados pela tens\u00e3o aplicada aos seus terminais. Os FETs s\u00e3o componentes vitais na eletr\u00f4nica, sendo utilizados como chaves, amplificadores e para outras fun\u00e7\u00f5es em circuitos.<\/p>\n
Existem alguns tipos principais de FETs, sendo os mais comuns o JFET (Junction Field-Effect Transistor) e o MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Cada tipo de FET tem suas pr\u00f3prias caracter\u00edsticas e equa\u00e7\u00f5es de corrente espec\u00edficas, mas a teoria de funcionamento b\u00e1sico \u00e9 semelhante entre eles.<\/p>\n
Para entender a equa\u00e7\u00e3o de corrente do JFET, precisamos primeiro conhecer as tr\u00eas termina\u00e7\u00f5es desse componente: o dreno (D), a fonte (S) e a porta (G). A corrente principal flui do dreno para a fonte, e a tens\u00e3o aplicada entre a porta e a fonte (VGS<\/sub>) controla essa corrente.<\/p>\n A equa\u00e7\u00e3o b\u00e1sica que descreve a corrente do dreno (ID<\/sub>) no JFET \u00e9:<\/p>\n Onde:<\/p>\n Essa equa\u00e7\u00e3o \u00e9 v\u00e1lida somente para a regi\u00e3o em que o JFET opera na chamada “regi\u00e3o \u00f3hmica”, que ocorre quando VGS<\/sub> est\u00e1 entre 0 e VP<\/sub>.<\/p>\n O MOSFET, sendo o tipo mais comum de FET usado hoje em dia, tamb\u00e9m possui uma equa\u00e7\u00e3o de corrente espec\u00edfica. Para um MOSFET do tipo enriquecimento, a corrente do dreno ID<\/sub> pode ser calculada dependendo do regime de opera\u00e7\u00e3o do transistor: regi\u00e3o de corte, regi\u00e3o \u00f3hmica ou regi\u00e3o de satura\u00e7\u00e3o.<\/p>\n Na regi\u00e3o de corte, a tens\u00e3o VGS<\/sub> \u00e9 menor que a tens\u00e3o de limiar Vth<\/sub>, e a corrente ID<\/sub> \u00e9 praticamente zero.<\/p>\n Na regi\u00e3o \u00f3hmica (linear), quando VGS<\/sub> > Vth<\/sub> e VDS<\/sub> < (VGS<\/sub> – Vth<\/sub>), a corrente \u00e9 dada por:<\/p>\n Onde:<\/p>\n Na regi\u00e3o de satura\u00e7\u00e3o, onde VGS<\/sub> > Vth<\/sub> e VDS<\/sub> > (VGS<\/sub> – Vth<\/sub>), a corrente ID<\/sub> se estabiliza e \u00e9 expressa por:<\/p>\n E o termo As equa\u00e7\u00f5es de corrente FET s\u00e3o ferramentas cruciais para projetistas de circuitos. Eles usam essas equa\u00e7\u00f5es para entender como diferentes tens\u00f5es aplicadas aos FETs afetar\u00e3o a corrente atrav\u00e9s deles, permitindo dimensionar adequadamente os componentes e garantir que os circuitos funcionem como pretendido. Em aplica\u00e7\u00f5es pr\u00e1ticas, os engenheiros fazem uso dessas equa\u00e7\u00f5es para projetar amplificadores, switches, e circuitos integrados.<\/p>\n Em resumo, a equa\u00e7\u00e3o de corrente FET \u00e9 essencial para entender como os FETs operam e s\u00e3o controlados. Compreender essas equa\u00e7\u00f5es permite aos estudantes, entusiastas e profissionais de engenharia projetar e analisar circuitos com maior efici\u00eancia e precis\u00e3o. Ao simplificar os complexos princ\u00edpios de funcionamento dos FETs em modelos matem\u00e1ticos, podemos prever comportamentos dos circuitos e desenvolver tecnologias cada vez melhores.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":" Descubra o que s\u00e3o FETs (Transistores de Efeito de Campo), os diferentes tipos como JFET e MOSFET, e aprenda a usar suas equa\u00e7\u00f5es de corrente para projetar circuitos eletr\u00f4nicos.<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_generate-full-width-content":"","footnotes":""},"categories":[84],"tags":[85],"class_list":["post-145008","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-ecuaciones","tag-ecuaciones","generate-columns","tablet-grid-50","mobile-grid-100","grid-parent","grid-50"],"yoast_head":"\nID<\/sub> = IDSS<\/sub>[1 - \\frac{VGS<\/sub>}{VP<\/sub>}]^2<\/code><\/pre>\n\n
IDSS<\/sub><\/code> \u00e9 a corrente m\u00e1xima do dreno quando VGS<\/sub> = 0.<\/li>\nVP<\/sub><\/code> \u00e9 a tens\u00e3o de pin\u00e7amento (pinchoff voltage), e \u00e9 a tens\u00e3o de porta para a qual a corrente de dreno cai para zero.<\/li>\n<\/ul>\nEqua\u00e7\u00e3o de Corrente do MOSFET<\/h2>\n
ID<\/sub> = \\mu C_{ox} \\frac{W}{L} [(V_{GS} - V_{th}) V_{DS} - \\frac{V_{DS}^2}{2}]<\/code><\/pre>\n\n
\\mu<\/code> \u00e9 a mobilidade dos portadores de carga.<\/li>\nCox<\/sub><\/code> \u00e9 a capacit\u00e2ncia da camada de \u00f3xido por unidade de \u00e1rea.<\/li>\nW<\/code> e L<\/code> s\u00e3o, respectivamente, a largura e o comprimento do canal do MOSFET.<\/li>\n<\/ul>\nI_{D} = \\frac{1}{2} \\mu C_{ox} \\frac{W}{L} (V_{GS} - V_{th})^2 (1 + \\lambda V_{DS})<\/code><\/pre>\n\\lambda<\/code> representa o coeficiente de modula\u00e7\u00e3o de comprimento do canal, que leva em conta a varia\u00e7\u00e3o de ID<\/sub> devido a varia\u00e7\u00f5es em VDS<\/sub>.<\/p>\nComo Usar as Equa\u00e7\u00f5es de Corrente FET?<\/h2>\n
Conclus\u00e3o<\/h2>\n