{"id":81349,"date":"2024-01-14T13:17:56","date_gmt":"2024-01-14T13:17:56","guid":{"rendered":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/semiconduttori-di-tipo-p-definizione-tipi-e-caratteristiche\/"},"modified":"2024-01-23T12:26:55","modified_gmt":"2024-01-23T12:26:55","slug":"semiconduttori-di-tipo-p-definizione-tipi-e-caratteristiche","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/semiconduttori-di-tipo-p-definizione-tipi-e-caratteristiche\/","title":{"rendered":"Semiconduttori di tipo p | Definizione, tipi e caratteristiche"},"content":{"rendered":"

Semiconduttori di tipo p<\/h2>\n

I semiconduttori, sia inorganici che organici, sono materiali in grado di controllare la propria conduzione a seconda della struttura chimica, della temperatura, dell’illuminazione e della presenza di dopanti. Il nome “semiconduttore” deriva dal fatto che questi materiali hanno una conduttivit\u00e0 elettrica intermedia tra un metallo, come il rame o l’oro, e un isolante, come il vetro. Presentano un gap energetico inferiore a 4 eV (circa 1 eV). Nella fisica dello stato solido, questo gap energetico o band gap \u00e8 un intervallo di energia tra la banda di valenza e la banda di conduzione dove gli stati degli elettroni sono proibiti. A differenza dei conduttori, gli elettroni nei semiconduttori devono ottenere energia (ad esempio, dalla radiazione ionizzante) per attraversare il band gap e raggiungere la banda di conduzione. Le propriet\u00e0 dei semiconduttori sono determinate dal gap energetico tra le bande di valenza e di conduzione.<\/p>\n

Caratteristiche dei Semiconduttori di tipo p<\/h2>\n

Un semiconduttore estrinseco dopato con atomi accettori di elettroni \u00e8 denominato semiconduttore di tipo p, poich\u00e9 la maggior parte dei portatori di carica nel cristallo sono lacune elettroniche (portatori di carica positivi). Il semiconduttore puro di silicio \u00e8 un elemento tetravalente e la sua struttura cristallina normale contiene 4 legami covalenti da quattro elettroni di valenza. Nel silicio, i dopanti pi\u00f9 comuni sono gli elementi del gruppo III e del gruppo V. Gli elementi del gruppo III (trivalenti) contengono tutti tre elettroni di valenza, fungendo da accettori quando utilizzati per dopare il silicio. Quando un atomo accettore sostituisce un atomo di silicio tetravalente nel cristallo, si crea uno stato vacante (una lacuna elettronica). Una lacuna elettronica (spesso semplicemente chiamata “lacuna”) \u00e8 la mancanza di un elettrone in una posizione dove potrebbe esistere in un atomo o in un reticolo atomico. \u00c8 uno dei due portatori di carica responsabili della creazione di una corrente elettrica nei materiali semiconduttori. Queste lacune caricate positivamente possono muoversi da atomo a atomo nei materiali semiconduttori man mano che gli elettroni lasciano le loro posizioni. Aggiungendo impurit\u00e0 trivalenti come boro, alluminio o gallio a un semiconduttore intrinseco si creano queste lacune elettroniche positive nella struttura.<\/p>\n

Esempi di Semiconduttori di tipo p<\/h2>\n

Per esempio, un cristallo di silicio drogato con boro (gruppo III) crea un semiconduttore di tipo p, mentre un cristallo drogato con fosforo (gruppo V) risulta in un semiconduttore di tipo n. Il numero di siti accettori domina completamente il numero di lacune elettroniche. Pertanto, il numero totale di lacune \u00e8 approssimativamente uguale al numero di siti donatori, p \u2248 NA<\/sub>. La neutralit\u00e0 di carica di questo materiale semiconduttore \u00e8 anche mantenuta. Il risultato finale \u00e8 che il numero di lacune elettroniche aumenta mentre il numero di elettroni di conduzione si riduce. Lo squilibrio della concentrazione dei portatori nelle rispettive bande \u00e8 espresso dal diverso numero assoluto di elettroni e lacune. Le lacune elettroniche sono i portatori di maggioranza, mentre gli elettroni sono i portatori di minoranza nel materiale di tipo p.<\/p>\n

Tabella di Propriet\u00e0 dei Semiconduttori<\/h2>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Semiconduttore<\/th>\nTipo<\/th>\nBand Gap (eV)<\/th>\nMobilit\u00e0 Elettronica (cm\u00b2\/Vs)<\/th>\nMobilit\u00e0 delle Lacune (cm\u00b2\/Vs)<\/th>\nConducibilit\u00e0 Termica (W\/mK)<\/th>\n<\/tr>\n
Silicio (Si)<\/td>\nIntrinseco<\/td>\n1.12<\/td>\n1500<\/td>\n450<\/td>\n150<\/td>\n<\/tr>\n
Germanio (Ge)<\/td>\nIntrinseco<\/td>\n0.67<\/td>\n3900<\/td>\n1900<\/td>\n60<\/td>\n<\/tr>\n
Arseniuro di Gallio (GaAs)<\/td>\nIntrinseco<\/td>\n1.43<\/td>\n8500<\/td>\n400<\/td>\n46<\/td>\n<\/tr>\n
Silicio drogato con Boro (p-Si)<\/td>\np-tipo<\/td>\n1.12<\/td>\n1500<\/td>\n1800<\/td>\n150<\/td>\n<\/tr>\n
Silicio drogato con Fosforo (n-Si)<\/td>\nn-tipo<\/td>\n1.12<\/td>\n1500<\/td>\n4500<\/td>\n150<\/td>\n<\/tr>\n
Arseniuro di Gallio drogato con Alluminio (p-GaAs)<\/td>\np-tipo<\/td>\n1.43<\/td>\n8500<\/td>\n200<\/td>\n46<\/td>\n<\/tr>\n
Arseniuro di Gallio drogato con Silicio (n-GaAs)<\/td>\nn-tipo<\/td>\n1.43<\/td>\n8500<\/td>\n800<\/td>\n46<\/td>\n<\/tr>\n<\/table>\n

\"p-type<\/p>\n

\n Original Article<\/a>\n<\/div>\n

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Un semiconduttore estrinseco drogato con atomi accettori di elettroni \u00e8 chiamato semiconduttore di tipo p perch\u00e9 la maggior parte dei portatori di carica nel cristallo sono lacune di elettroni (portatori di carica positivi).<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":1578,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_generate-full-width-content":"","footnotes":""},"categories":[12],"tags":[],"class_list":["post-81349","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-non-categorizzato","generate-columns","tablet-grid-50","mobile-grid-100","grid-parent","grid-50"],"yoast_head":"\nSemiconduttori di tipo p | Definizione, tipi e caratteristiche<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Un semiconduttore estrinseco drogato con atomi accettori di elettroni \u00e8 chiamato semiconduttore di tipo p perch\u00e9 la maggior parte dei portatori di carica nel cristallo sono lacune di elettroni (portatori di carica positivi).\" \/>\n<meta name=\"robots\" content=\"index, follow, max-snippet:-1, max-image-preview:large, max-video-preview:-1\" \/>\n<link rel=\"canonical\" href=\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/semiconduttori-di-tipo-p-definizione-tipi-e-caratteristiche\/\" \/>\n<meta property=\"og:locale\" content=\"it_IT\" \/>\n<meta property=\"og:type\" content=\"article\" \/>\n<meta property=\"og:title\" content=\"Semiconduttori di tipo p | Definizione, tipi e caratteristiche\" \/>\n<meta property=\"og:description\" content=\"Un semiconduttore estrinseco drogato con atomi accettori di elettroni \u00e8 chiamato semiconduttore di tipo p perch\u00e9 la maggior parte dei portatori di carica nel cristallo sono lacune di elettroni (portatori di carica positivi).\" \/>\n<meta property=\"og:url\" content=\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/semiconduttori-di-tipo-p-definizione-tipi-e-caratteristiche\/\" \/>\n<meta property=\"og:site_name\" content=\"Electricity - 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