Semiconduttori Estrinseci:<\/strong> Sono semiconduttori impuri, drogati intenzionalmente con impurit\u00e0 per modificare le loro propriet\u00e0 elettroniche. Si dividono in:<\/p>\n Semiconduttori di Tipo p:<\/em> In questi, atomi di impurit\u00e0 come il boro vengono introdotti nel materiale semiconduttore. Queste impurit\u00e0 hanno meno elettroni di valenza rispetto al materiale semiconduttore, risultando nella creazione di “buchi” (assenza di elettroni) nella banda di valenza.<\/p>\n Semiconduttori di Tipo n:<\/em> In questi, atomi di impurit\u00e0 come il fosforo vengono introdotti. Queste impurit\u00e0 hanno pi\u00f9 elettroni di valenza, creando elettroni in eccesso nella banda di conduzione.<\/p>\n Ecco una tabella con 3 semiconduttori intrinseci e 2 semiconduttori di tipo p e n, con 4 propriet\u00e0 chiave:<\/p>\n Un semiconduttore estrinseco drogato con atomi donatori di elettroni \u00e8 definito semiconduttore di tipo n, poich\u00e9 la maggior parte dei portatori di carica nel cristallo sono elettroni negativi. Per esempio, un cristallo di silicio drogato con fosforo (un elemento del gruppo V) risulta in un semiconduttore di tipo n. Gli elettroni di conduzione sono dominati dal numero di elettroni donatori. Pertanto, il numero totale di elettroni di conduzione \u00e8 approssimativamente uguale al numero di siti donatori, n\u2248ND. La neutralit\u00e0 di carica del materiale semiconduttore \u00e8 mantenuta perch\u00e9 i siti donatori eccitati bilanciano gli elettroni di conduzione. Il risultato netto \u00e8 un aumento del numero di elettroni di conduzione mentre il numero di buchi si riduce. L’imbilanciamento della concentrazione dei portatori nei rispettivi bande si esprime nella diversa quantit\u00e0 assoluta di elettroni e buchi. Gli elettroni sono i portatori maggioritari, mentre i buchi sono i portatori minoritari nel materiale di tipo n.<\/p>\nPropriet\u00e0 dei Semiconduttori<\/h2>\n
\n
\n Semiconduttore<\/th>\n Tipo<\/th>\n Gap Energetico (eV)<\/th>\n Mobilit\u00e0 Elettronica (cm2<\/sup>\/V\u00b7s)<\/th>\n Mobilit\u00e0 dei Buchi (cm2<\/sup>\/V\u00b7s)<\/th>\n Conducibilit\u00e0 Termica (W\/m\u00b7K)<\/th>\n<\/tr>\n \n Silicio (Si)<\/td>\n Intrinseco<\/td>\n 1.12<\/td>\n 1500<\/td>\n 450<\/td>\n 150<\/td>\n<\/tr>\n \n Germanio (Ge)<\/td>\n Intrinseco<\/td>\n 0.67<\/td>\n 3900<\/td>\n 1900<\/td>\n 60<\/td>\n<\/tr>\n \n Arseniuro di Gallio (GaAs)<\/td>\n Intrinseco<\/td>\n 1.43<\/td>\n 8500<\/td>\n 400<\/td>\n 46<\/td>\n<\/tr>\n \n Silicio drogato con Boro (p-Si)<\/td>\n p<\/td>\n 1.12<\/td>\n 1500<\/td>\n 1800<\/td>\n 150<\/td>\n<\/tr>\n \n Silicio drogato con Fosforo (n-Si)<\/td>\n n<\/td>\n 1.12<\/td>\n 1500<\/td>\n 4500<\/td>\n 150<\/td>\n<\/tr>\n \n Arseniuro di Gallio drogato con Alluminio (p-GaAs)<\/td>\n p<\/td>\n 1.43<\/td>\n 8500<\/td>\n 200<\/td>\n 46<\/td>\n<\/tr>\n \n Arseniuro di Gallio drogato con Silicio (n-GaAs)<\/td>\n n<\/td>\n 1.43<\/td>\n 8500<\/td>\n 800<\/td>\n 46<\/td>\n<\/tr>\n<\/table>\n Semiconduttori di Tipo n<\/h2>\n
![\"n-type](\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/wp-content\/uploads\/2022\/01\/logo.png\"){kind=logo}
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