{"id":81346,"date":"2024-01-14T13:17:42","date_gmt":"2024-01-14T13:17:42","guid":{"rendered":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/semiconduttori-estrinseci-semiconduttori-drogati-definizione-e-tipi\/"},"modified":"2024-01-23T12:26:36","modified_gmt":"2024-01-23T12:26:36","slug":"semiconduttori-estrinseci-semiconduttori-drogati-definizione-e-tipi","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/semiconduttori-estrinseci-semiconduttori-drogati-definizione-e-tipi\/","title":{"rendered":"Semiconduttori estrinseci \u2013 Semiconduttori drogati | Definizione e tipi"},"content":{"rendered":"<h2>Semiconduttori Estrinseci &#8211; Semiconduttori Drograti<\/h2>\n<p>I semiconduttori, sia inorganici che organici, sono materiali che controllano la loro conduzione a seconda della struttura chimica, della temperatura, dell&#8217;illuminazione e della presenza di droghe. Il termine &#8220;semiconduttore&#8221; deriva dal fatto che questi materiali hanno una conduttivit\u00e0 elettrica tra un metallo, come rame o oro, e un isolante, come il vetro. Possiedono un gap energetico inferiore a 4eV (circa 1eV). Nella fisica dello stato solido, questo gap energetico o band gap \u00e8 un intervallo di energia tra la banda di valenza e quella di conduzione, dove gli stati degli elettroni sono proibiti. A differenza dei conduttori, gli elettroni dei semiconduttori devono acquisire energia (ad esempio, da radiazioni ionizzanti) per attraversare il band gap e raggiungere la banda di conduzione. Le propriet\u00e0 dei semiconduttori sono determinate dal gap energetico tra bande di valenza e di conduzione.<\/p>\n<h2>Tipi di Semiconduttori<\/h2>\n<p>I semiconduttori possono essere classificati in due tipi principali in base alle loro propriet\u00e0 elettroniche:<\/p>\n<ul>\n<li><strong>Semiconduttori Intrinseci<\/strong>: Sono semiconduttori puri costituiti da un singolo elemento (ad es., Silicio, Germanio) senza doping intenzionale con impurit\u00e0. Hanno un numero specifico di elettroni nella loro banda di valenza e di conduzione e conducono elettricit\u00e0 quando riscaldati.<\/li>\n<li><strong>Semiconduttori Estrinseci<\/strong>: Sono semiconduttori impuri, intenzionalmente drogati con impurit\u00e0 per modificarne le propriet\u00e0 elettroniche. Si dividono ulteriormente in:<\/li>\n<ul>\n<li><em>p-type<\/em>: In questi semiconduttori, atomi di impurit\u00e0 come il boro vengono introdotti nel materiale semiconduttore, creando &#8220;buche&#8221; (assenza di elettroni) nella banda di valenza.<\/li>\n<li><em>n-type<\/em>: In questi semiconduttori, atomi di impurit\u00e0 come il fosforo vengono introdotti, creando elettroni in eccesso nella banda di conduzione.<\/li>\n<\/ul>\n<\/ul>\n<h2>Propriet\u00e0 Chiave dei Semiconduttori<\/h2>\n<p>Ecco una tabella con 3 semiconduttori intrinseci e 2 semiconduttori p-type e n-type, insieme a 4 propriet\u00e0 chiave:<\/p>\n<table>\n<tr>\n<th>Semiconduttore<\/th>\n<th>Tipo<\/th>\n<th>Gap Band (eV)<\/th>\n<th>Mobilit\u00e0 Elettronica (cm\u00b2\/Vs)<\/th>\n<th>Mobilit\u00e0 dei Buchi (cm\u00b2\/Vs)<\/th>\n<th>Conduttivit\u00e0 Termica (W\/mK)<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Silicio (Si)<\/td>\n<td>Intrinseco<\/td>\n<td>1.12<\/td>\n<td>1500<\/td>\n<td>450<\/td>\n<td>150<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Germanio (Ge)<\/td>\n<td>Intrinseco<\/td>\n<td>0.67<\/td>\n<td>3900<\/td>\n<td>1900<\/td>\n<td>60<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Arseniuro di Gallio (GaAs)<\/td>\n<td>Intrinseco<\/td>\n<td>1.43<\/td>\n<td>8500<\/td>\n<td>400<\/td>\n<td>46<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Silicio drogato con Boro (p-Si)<\/td>\n<td>p-type<\/td>\n<td>1.12<\/td>\n<td>1500<\/td>\n<td>1800<\/td>\n<td>150<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Silicio drogato con Fosforo (n-Si)<\/td>\n<td>n-type<\/td>\n<td>1.12<\/td>\n<td>1500<\/td>\n<td>4500<\/td>\n<td>150<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Arseniuro di Gallio drogato con Alluminio (p-GaAs)<\/td>\n<td>p-type<\/td>\n<td>1.43<\/td>\n<td>8500<\/td>\n<td>200<\/td>\n<td>46<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Arseniuro di Gallio drogato con Silicio (n-GaAs)<\/td>\n<td>n-type<\/td>\n<td>1.43<\/td>\n<td>8500<\/td>\n<td>800<\/td>\n<td>46<\/td>\n<\/tr>\n<\/table>\n<h2>Semiconduttori Estrinseci &#8211; Semiconduttori Drograti<\/h2>\n<p>Un semiconduttore estrinseco, o semiconduttore drogato, \u00e8 un semiconduttore intenzionalmente drogato per modulare le sue propriet\u00e0 elettriche, ottiche e strutturali. Nel caso di rivelatori di radiazioni ionizzanti, il doping \u00e8 l&#8217;introduzione intenzionale di impurit\u00e0 in un semiconduttore intrinseco per cambiamenti nelle loro propriet\u00e0 elettriche. I semiconduttori intrinseci sono anche noti come semiconduttori puri o semiconduttori di tipo i. L&#8217;aggiunta di una piccola percentuale di atomi stranieri nella struttura cristallina del silicio o del germanio produce cambiamenti drammatici nelle loro propriet\u00e0 elettriche, poich\u00e9 questi atomi stranieri incorporati nella struttura cristallina del semiconduttore forniscono portatori di carica libera (elettroni o buchi di elettroni) nel semiconduttore.<\/p>\n<h2>Semiconduttori n-type<\/h2>\n<p>Un semiconduttore estrinseco drogato con atomi donatori di elettroni \u00e8 detto semiconduttore n-type perch\u00e9 la maggior parte dei portatori di carica nel cristallo sono elettroni negativi. Ad esempio, un cristallo di silicio drogato con boro (gruppo III) crea un semiconduttore p-type, mentre un cristallo drogato con fosforo (gruppo V) risulta in un semiconduttore n-type. Gli elettroni di conduzione sono completamente dominati dal numero di elettroni donatori. Pertanto, il numero totale di elettroni di conduzione \u00e8 approssimativamente uguale al numero di siti donatori, n\u2248ND.<\/p>\n<h2>Semiconduttori p-type<\/h2>\n<p>Un semiconduttore estrinseco drogato con atomi accettori di elettroni \u00e8 detto semiconduttore p-type perch\u00e9 la maggior parte dei portatori di carica nel cristallo sono buchi di elettroni (portatori di carica positiva). Ad esempio, un cristallo di silicio drogato con boro (gruppo III) crea un semiconduttore p-type. Il numero totale di buchi \u00e8 approssimativamente uguale al numero di siti accettori, p \u2248 NA.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" src=\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/wp-content\/uploads\/2022\/01\/logo.png\" alt=\"Extrinsic Semiconductors \u2013 Doped Semiconductors\" \/><\/p>\n<div style=\"text-align: center; font-size: 20px;\">\n    <a href=\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/extrinsic-semiconductors-doped-semiconductors\/\">Original Article<\/a>\n<\/div>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Un semiconduttore estrinseco, o semiconduttore drogato, \u00e8 un semiconduttore che \u00e8 stato drogato intenzionalmente per modularne le propriet\u00e0 elettriche, ottiche e strutturali.<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":1578,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_generate-full-width-content":"","footnotes":""},"categories":[12],"tags":[],"class_list":["post-81346","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-non-categorizzato","generate-columns","tablet-grid-50","mobile-grid-100","grid-parent","grid-50"],"yoast_head":"<!-- This site is optimized with the Yoast SEO plugin v17.9 - 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