{"id":81330,"date":"2024-01-14T13:17:15","date_gmt":"2024-01-14T13:17:15","guid":{"rendered":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/transistor-a-giunzione-bipolare\/"},"modified":"2024-01-23T12:25:38","modified_gmt":"2024-01-23T12:25:38","slug":"transistor-a-giunzione-bipolare","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/","title":{"rendered":"Transistor a giunzione bipolare"},"content":{"rendered":"

Transistor a Giunzione Bipolare e Semiconduttori<\/h2>\n

I semiconduttori sono materiali organici o inorganici che possono modificare la loro conduttivit\u00e0 in base alla struttura chimica, alla temperatura, all’illuminazione e alla presenza di droganti. Questi materiali possiedono una conduttivit\u00e0 elettrica intermedia tra un metallo, come il rame o l’oro, e un isolante, come il vetro. Hanno un gap energetico inferiore a 4eV (circa 1eV). Nella fisica dello stato solido, questo gap energetico o band gap \u00e8 una gamma di energia tra la banda di valenza e la banda di conduzione, dove gli stati degli elettroni sono proibiti. A differenza dei conduttori, gli elettroni dei semiconduttori devono acquisire energia (ad esempio, dalla radiazione ionizzante) per attraversare il band gap e raggiungere la banda di conduzione.<\/p>\n

Il Transistor a Giunzione Bipolare (BJT)<\/h2>\n

Un transistor a giunzione bipolare (BJT) \u00e8 un dispositivo elettronico a tre terminali che pu\u00f2 amplificare o commutare segnali elettronici. \u00c8 realizzato unendo tre strati di materiale semiconduttore: uno strato di tipo n, uno di tipo p e un altro di tipo n (per un transistor NPN) o di tipo p (per un transistor PNP). Le tre regioni del BJT sono denominate emettitore, base e collettore. La base, situata tra l’emettitore e il collettore, \u00e8 molto sottile per consentire un facile flusso dei portatori di carica dall’emettitore al collettore. Il BJT funziona controllando il flusso di portatori di carica (elettroni o lacune) dall’emettitore al collettore mediante una piccola corrente alla base. Quando una piccola corrente viene applicata alla base, modifica la tensione attraverso la giunzione base-emettitore, permettendo cos\u00ec una corrente maggiore di fluire dall’emettitore al collettore. I BJTs possono essere utilizzati come amplificatori o interruttori, a seconda di come sono configurati in un circuito.<\/p>\n

Tipi di Semiconduttori<\/h2>\n

I semiconduttori possono essere classificati in due tipi fondamentali in base alle loro propriet\u00e0 elettroniche:<\/p>\n

Semiconduttori Intrinseci<\/h3>\n

Questi sono semiconduttori puri composti da un singolo elemento (ad esempio, Silicio, Germanio) e non sono intenzionalmente dopati con impurit\u00e0. I semiconduttori intrinseci conducono elettricit\u00e0 quando sono riscaldati e alcuni elettroni acquisiscono energia sufficiente per liberarsi dai loro legami e diventare elettroni liberi nella banda di conduzione.<\/p>\n

Semiconduttori Estrinseci<\/h3>\n

Questi sono semiconduttori impuri, intenzionalmente dopati con impurit\u00e0 per modificare le loro propriet\u00e0 elettroniche. I semiconduttori estrinseci possono essere ulteriormente classificati in:<\/p>\n

p-type<\/i>: In questi semiconduttori, atomi di impurit\u00e0 come il boro vengono introdotti nel materiale semiconduttore. Queste impurit\u00e0 hanno meno elettroni di valenza rispetto al materiale semiconduttore, creando cos\u00ec
\n“lacune” (assenza di elettroni) nella banda di valenza. Queste lacune possono condurre corrente come portatori di carica positivi, conferendo al materiale la designazione di tipo p.<\/p>\n

n-type<\/i>: In questi semiconduttori, atomi di impurit\u00e0 come il fosforo vengono introdotti nel materiale semiconduttore. Queste impurit\u00e0 hanno pi\u00f9 elettroni di valenza rispetto al materiale semiconduttore, creando cos\u00ec elettroni in eccesso nella banda di conduzione. Questi elettroni in eccesso possono condurre corrente come portatori di carica negativi, conferendo al materiale la designazione di tipo n.<\/p>\n

Caratteristiche dei Semiconduttori<\/h2>\n

Ecco una tabella con 3 semiconduttori intrinseci e 2 semiconduttori di tipo p e n, insieme a 4 propriet\u00e0 chiave:<\/p>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Semiconduttore<\/th>\nTipo<\/th>\nBand Gap (eV)<\/th>\nMobilit\u00e0 Elettronica (cm2<\/sup>\/V s)<\/th>\nMobilit\u00e0 dei Fori (cm2<\/sup>\/V s)<\/th>\nConduttivit\u00e0 Termica (W\/m K)<\/th>\n<\/tr>\n
Silicio (Si)<\/td>\nIntrinseco<\/td>\n1.12<\/td>\n1500<\/td>\n450<\/td>\n150<\/td>\n<\/tr>\n
Germanio (Ge)<\/td>\nIntrinseco<\/td>\n0.67<\/td>\n3900<\/td>\n1900<\/td>\n60<\/td>\n<\/tr>\n
Arseniuro di Gallio (GaAs)<\/td>\nIntrinseco<\/td>\n1.43<\/td>\n8500<\/td>\n400<\/td>\n46<\/td>\n<\/tr>\n
Silicio drogato con Boro (p-Si)<\/td>\np-type<\/td>\n1.12<\/td>\n1500<\/td>\n1800<\/td>\n150<\/td>\n<\/tr>\n
Silicio drogato con Fosforo (n-Si)<\/td>\nn-type<\/td>\n1.12<\/td>\n1500<\/td>\n4500<\/td>\n150<\/td>\n<\/tr>\n
Arseniuro di Gallio drogato con Alluminio (p-GaAs)<\/td>\np-type<\/td>\n1.43<\/td>\n8500<\/td>\n200<\/td>\n46\n<\/td>\n<\/tr>\n
Arseniuro di Gallio drogato con Silicio (n-GaAs)<\/td>\nn-type<\/td>\n1.43<\/td>\n8500<\/td>\n800<\/td>\n46<\/td>\n<\/tr>\n<\/table>\n

Questi dati illustrano le differenze fondamentali nelle propriet\u00e0 dei diversi tipi di semiconduttori, che influenzano le loro applicazioni in vari dispositivi elettronici.<\/p>\n

Applicazioni dei Semiconduttori<\/h2>\n

I semiconduttori, e in particolare i BJTs, trovano impiego in una vasta gamma di applicazioni elettroniche. Nei circuiti amplificatori, un piccolo segnale di ingresso applicato alla base del BJT viene amplificato in un segnale di uscita pi\u00f9 grande al collettore. In circuiti di commutazione, il BJT funziona come un interruttore, completamente acceso o spento a seconda della tensione applicata alla base.<\/p>\n

Queste caratteristiche rendono i BJTs scelte popolari in applicazioni quali amplificatori audio, ricevitori radio e circuiti di logica digitale. Sono particolarmente vantaggiosi in applicazioni a bassa tensione e bassa potenza, dove il loro alto guadagno di corrente e la velocit\u00e0 di commutazione sono fondamentali.<\/p>\n

Conclusione<\/h2>\n

La comprensione dei semiconduttori e dei dispositivi basati su di essi, come i BJTs, \u00e8 cruciale per lo sviluppo e l’avanzamento della tecnologia elettronica moderna. La loro capacit\u00e0 di controllare e manipolare i flussi di corrente ha rivoluzionato il campo dell’elettronica, rendendo possibile la vasta gamma di dispositivi e sistemi che oggi diamo per scontati.<\/p>\n

\"Bipolar<\/p>\n

\n Original Article<\/a>\n<\/div>\n

 <\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Un transistor a giunzione bipolare (BJT) \u00e8 un dispositivo elettronico a tre terminali in grado di amplificare o commutare segnali elettronici. \u00c8 realizzato unendo insieme tre strati di materiale semiconduttore.<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":1578,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_generate-full-width-content":"","footnotes":""},"categories":[12],"tags":[],"class_list":["post-81330","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-non-categorizzato","generate-columns","tablet-grid-50","mobile-grid-100","grid-parent","grid-50"],"yoast_head":"\nTransistor a giunzione bipolare<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Un transistor a giunzione bipolare (BJT) \u00e8 un dispositivo elettronico a tre terminali in grado di amplificare o commutare segnali elettronici. \u00c8 realizzato unendo insieme tre strati di materiale semiconduttore.\" \/>\n<meta name=\"robots\" content=\"index, follow, max-snippet:-1, max-image-preview:large, max-video-preview:-1\" \/>\n<link rel=\"canonical\" href=\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/\" \/>\n<meta property=\"og:locale\" content=\"it_IT\" \/>\n<meta property=\"og:type\" content=\"article\" \/>\n<meta property=\"og:title\" content=\"Transistor a giunzione bipolare\" \/>\n<meta property=\"og:description\" content=\"Un transistor a giunzione bipolare (BJT) \u00e8 un dispositivo elettronico a tre terminali in grado di amplificare o commutare segnali elettronici. \u00c8 realizzato unendo insieme tre strati di materiale semiconduttore.\" \/>\n<meta property=\"og:url\" content=\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/\" \/>\n<meta property=\"og:site_name\" content=\"Electricity - Magnetism\" \/>\n<meta property=\"article:published_time\" content=\"2024-01-14T13:17:15+00:00\" \/>\n<meta property=\"article:modified_time\" content=\"2024-01-23T12:25:38+00:00\" \/>\n<meta property=\"og:image\" content=\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/wp-content\/uploads\/2022\/01\/logo.png\" \/>\n\t<meta property=\"og:image:width\" content=\"200\" \/>\n\t<meta property=\"og:image:height\" content=\"200\" \/>\n\t<meta property=\"og:image:type\" content=\"image\/png\" \/>\n<meta name=\"twitter:card\" content=\"summary_large_image\" \/>\n<meta name=\"twitter:label1\" content=\"Scritto da\" \/>\n\t<meta name=\"twitter:data1\" content=\"Matan\" \/>\n\t<meta name=\"twitter:label2\" content=\"Tempo di lettura stimato\" \/>\n\t<meta name=\"twitter:data2\" content=\"4 minuti\" \/>\n<script type=\"application\/ld+json\" class=\"yoast-schema-graph\">{\"@context\":\"https:\/\/schema.org\",\"@graph\":[{\"@type\":\"WebSite\",\"@id\":\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/#website\",\"url\":\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/\",\"name\":\"Electricity - Magnetism\",\"description\":\"All about electricity and magnetism.\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"SearchAction\",\"target\":{\"@type\":\"EntryPoint\",\"urlTemplate\":\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/?s={search_term_string}\"},\"query-input\":\"required name=search_term_string\"}],\"inLanguage\":\"it-IT\"},{\"@type\":\"ImageObject\",\"@id\":\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/#primaryimage\",\"inLanguage\":\"it-IT\",\"url\":\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/wp-content\/uploads\/2022\/01\/logo.png\",\"contentUrl\":\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/wp-content\/uploads\/2022\/01\/logo.png\",\"width\":200,\"height\":200,\"caption\":\"Elettromagnetismo\"},{\"@type\":\"WebPage\",\"@id\":\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/#webpage\",\"url\":\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/\",\"name\":\"Transistor a giunzione bipolare\",\"isPartOf\":{\"@id\":\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/#website\"},\"primaryImageOfPage\":{\"@id\":\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/#primaryimage\"},\"datePublished\":\"2024-01-14T13:17:15+00:00\",\"dateModified\":\"2024-01-23T12:25:38+00:00\",\"author\":{\"@id\":\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/#\/schema\/person\/68f28ba0ad08ef355b436c5222a40b29\"},\"description\":\"Un transistor a giunzione bipolare (BJT) \\u00e8 un dispositivo elettronico a tre terminali in grado di amplificare o commutare segnali elettronici. \\u00c8 realizzato unendo insieme tre strati di materiale semiconduttore.\",\"breadcrumb\":{\"@id\":\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/#breadcrumb\"},\"inLanguage\":\"it-IT\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"ReadAction\",\"target\":[\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/\"]}]},{\"@type\":\"BreadcrumbList\",\"@id\":\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/#breadcrumb\",\"itemListElement\":[{\"@type\":\"ListItem\",\"position\":1,\"name\":\"Home\",\"item\":\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/electricity-magnetism-page\/\"},{\"@type\":\"ListItem\",\"position\":2,\"name\":\"Transistor a giunzione bipolare\"}]},{\"@type\":\"Person\",\"@id\":\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/#\/schema\/person\/68f28ba0ad08ef355b436c5222a40b29\",\"name\":\"Matan\",\"url\":\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/author\/matan\/\"}]}<\/script>\n<!-- \/ Yoast SEO plugin. -->","yoast_head_json":{"title":"Transistor a giunzione bipolare","description":"Un transistor a giunzione bipolare (BJT) \u00e8 un dispositivo elettronico a tre terminali in grado di amplificare o commutare segnali elettronici. \u00c8 realizzato unendo insieme tre strati di materiale semiconduttore.","robots":{"index":"index","follow":"follow","max-snippet":"max-snippet:-1","max-image-preview":"max-image-preview:large","max-video-preview":"max-video-preview:-1"},"canonical":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/","og_locale":"it_IT","og_type":"article","og_title":"Transistor a giunzione bipolare","og_description":"Un transistor a giunzione bipolare (BJT) \u00e8 un dispositivo elettronico a tre terminali in grado di amplificare o commutare segnali elettronici. \u00c8 realizzato unendo insieme tre strati di materiale semiconduttore.","og_url":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/","og_site_name":"Electricity - Magnetism","article_published_time":"2024-01-14T13:17:15+00:00","article_modified_time":"2024-01-23T12:25:38+00:00","og_image":[{"width":200,"height":200,"url":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/wp-content\/uploads\/2022\/01\/logo.png","type":"image\/png"}],"twitter_card":"summary_large_image","twitter_misc":{"Scritto da":"Matan","Tempo di lettura stimato":"4 minuti"},"schema":{"@context":"https:\/\/schema.org","@graph":[{"@type":"WebSite","@id":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/#website","url":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/","name":"Electricity - Magnetism","description":"All about electricity and magnetism.","potentialAction":[{"@type":"SearchAction","target":{"@type":"EntryPoint","urlTemplate":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/?s={search_term_string}"},"query-input":"required name=search_term_string"}],"inLanguage":"it-IT"},{"@type":"ImageObject","@id":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/#primaryimage","inLanguage":"it-IT","url":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/wp-content\/uploads\/2022\/01\/logo.png","contentUrl":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/wp-content\/uploads\/2022\/01\/logo.png","width":200,"height":200,"caption":"Elettromagnetismo"},{"@type":"WebPage","@id":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/#webpage","url":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/","name":"Transistor a giunzione bipolare","isPartOf":{"@id":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/#website"},"primaryImageOfPage":{"@id":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/#primaryimage"},"datePublished":"2024-01-14T13:17:15+00:00","dateModified":"2024-01-23T12:25:38+00:00","author":{"@id":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/#\/schema\/person\/68f28ba0ad08ef355b436c5222a40b29"},"description":"Un transistor a giunzione bipolare (BJT) \u00e8 un dispositivo elettronico a tre terminali in grado di amplificare o commutare segnali elettronici. \u00c8 realizzato unendo insieme tre strati di materiale semiconduttore.","breadcrumb":{"@id":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/#breadcrumb"},"inLanguage":"it-IT","potentialAction":[{"@type":"ReadAction","target":["https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/"]}]},{"@type":"BreadcrumbList","@id":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/transistor-a-giunzione-bipolare\/#breadcrumb","itemListElement":[{"@type":"ListItem","position":1,"name":"Home","item":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/electricity-magnetism-page\/"},{"@type":"ListItem","position":2,"name":"Transistor a giunzione bipolare"}]},{"@type":"Person","@id":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/#\/schema\/person\/68f28ba0ad08ef355b436c5222a40b29","name":"Matan","url":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/author\/matan\/"}]}},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/81330","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=81330"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/81330\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media\/1578"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=81330"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=81330"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/it\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=81330"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}