{"id":82426,"date":"2024-01-14T13:17:56","date_gmt":"2024-01-14T13:17:56","guid":{"rendered":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/semi-conducteurs-de-type-n-definition-caracteristiques-et-types\/"},"modified":"2024-01-23T13:05:47","modified_gmt":"2024-01-23T13:05:47","slug":"semi-conducteurs-de-type-n-definition-caracteristiques-et-types","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/fr\/semi-conducteurs-de-type-n-definition-caracteristiques-et-types\/","title":{"rendered":"Semi-conducteurs de type n | D\u00e9finition, caract\u00e9ristiques et types"},"content":{"rendered":"<h2>Semi-conducteurs de type N<\/h2>\n<p>Les semi-conducteurs, qu&rsquo;ils soient inorganiques ou organiques, jouent un r\u00f4le crucial dans la technologie moderne. Leur conductivit\u00e9 \u00e9lectrique, qui se situe entre celle des m\u00e9taux et des isolants, d\u00e9pend de leur structure chimique, de la temp\u00e9rature, de l&rsquo;illumination, et de la pr\u00e9sence de dopants. Ces mat\u00e9riaux poss\u00e8dent un \u00e9cart \u00e9nerg\u00e9tique (ou band gap) inf\u00e9rieur \u00e0 4eV, typiquement autour de 1eV, une caract\u00e9ristique cl\u00e9 dans la physique de l&rsquo;\u00e9tat solide.<\/p>\n<h2>Types de Semi-conducteurs<\/h2>\n<p>Il existe deux types principaux de semi-conducteurs bas\u00e9s sur leurs propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectroniques :<\/p>\n<ul>\n<li><strong>Semi-conducteurs Intrins\u00e8ques :<\/strong> Ils sont compos\u00e9s d&rsquo;un seul \u00e9l\u00e9ment (par exemple, le silicium ou le germanium) et ne contiennent pas de dopants intentionnels. Leur conductivit\u00e9 \u00e9lectrique s&rsquo;accro\u00eet avec la temp\u00e9rature.<\/li>\n<li><strong>Semi-conducteurs Extrins\u00e8ques :<\/strong> Ils sont intentionnellement dop\u00e9s avec des impuret\u00e9s pour modifier leurs propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectroniques. Ils sont subdivis\u00e9s en :<\/li>\n<ul>\n<li><em>Semi-conducteurs de type P :<\/em> dop\u00e9s avec des atomes ayant moins d&rsquo;\u00e9lectrons de valence que le mat\u00e9riau de base, cr\u00e9ant des \u00ab\u00a0trous\u00a0\u00bb dans la bande de valence.<\/li>\n<li><em>Semi-conducteurs de type N :<\/em> dop\u00e9s avec des atomes ayant plus d&rsquo;\u00e9lectrons de valence, augmentant le nombre d&rsquo;\u00e9lectrons dans la bande de conduction.<\/li>\n<\/ul>\n<\/ul>\n<h2>Les Semi-conducteurs de type N<\/h2>\n<p>Un semi-conducteur de type N est dop\u00e9 avec des atomes donneurs d&rsquo;\u00e9lectrons, comme l&rsquo;arsenic, l&rsquo;antimoine ou le phosphore. Ces impuret\u00e9s pentavalentes ajoutent des \u00e9lectrons libres, augmentant significativement la conductivit\u00e9 de semi-conducteurs intrins\u00e8ques. Dans un cristal de silicium, l&rsquo;ajout de phosphore (groupe V) cr\u00e9e un semi-conducteur de type N, o\u00f9 les \u00e9lectrons de conduction dominent. La neutralit\u00e9 de charge du mat\u00e9riau est maintenue, le nombre d&rsquo;\u00e9lectrons de conduction \u00e9tant approximativement \u00e9gal au nombre de sites donneurs, n\u2248N<sub>D<\/sub>.<\/p>\n<h2>Propri\u00e9t\u00e9s des Semi-conducteurs<\/h2>\n<p>Les propri\u00e9t\u00e9s des semi-conducteurs sont influenc\u00e9es par l&rsquo;\u00e9cart \u00e9nerg\u00e9tique entre les bandes de valence et de conduction. Voici quelques exemples :<\/p>\n<table>\n<thead>\n<tr>\n<th>Semi-conducteur<\/th>\n<th>Type<\/th>\n<th>\u00c9cart \u00c9nerg\u00e9tique (eV)<\/th>\n<th>Mobilit\u00e9 des \u00c9lectrons (cm\u00b2\/Vs)<\/th>\n<th>Mobilit\u00e9 des Trous (cm\u00b2\/Vs)<\/th>\n<th>Conductivit\u00e9 Thermique (W\/mK)<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody>\n<tr>\n<td>Silicium (Si)<\/td>\n<td>Intrins\u00e8que<\/td>\n<td>1.12<\/td>\n<td>1500<\/td>\n<td>450<\/td>\n<td>150<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Germanium (Ge)<\/td>\n<td>Intrins\u00e8que<\/td>\n<td>0.67<\/td>\n<td>3900<\/td>\n<td>1900<\/td>\n<td>60<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Ars\u00e9niure de Gallium (GaAs)<\/td>\n<td>Intrins\u00e8que<\/td>\n<td>1.43<\/td>\n<td>8500<\/td>\n<td>400<\/td>\n<td>46<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Silicium dop\u00e9 au Bore (p-Si)<\/td>\n<td>P-type<\/td>\n<td>1.12<\/td>\n<td>1500<\/td>\n<td>1800<\/td>\n<td>150<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Silicium dop\u00e9 au Phosphore (n-Si)<\/td>\n<td>N-type<\/td>\n<td>1.12<\/td>\n<td>1500<\/td>\n<td>4500<\/td>\n<td>150<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h2>Conclusion<\/h2>\n<p>En r\u00e9sum\u00e9, les semi-conducteurs de type N sont essentiels dans de nombreuses applications \u00e9lectroniques en raison de leur capacit\u00e9 \u00e0 conduire efficacement l&rsquo;\u00e9lectricit\u00e9 gr\u00e2ce \u00e0 l&rsquo;exc\u00e8s d&rsquo;\u00e9lectrons. Leur compr\u00e9hension et leur ma\u00eetrise sont fondamentales pour le d\u00e9veloppement de technologies avanc\u00e9es.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" src=\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/wp-content\/uploads\/2022\/01\/logo.png\" alt=\"n-type Semiconductors\" \/><\/p>\n<div style=\"text-align: center; font-size: 20px;\">\n    <a href=\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/n-type-semiconductors\/\">Original Article<\/a>\n<\/div>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Un semi-conducteur extrins\u00e8que dop\u00e9 avec des atomes donneurs d&rsquo;\u00e9lectrons est appel\u00e9 semi-conducteur de type\u00a0n\u00a0car la plupart des porteurs de charge dans le cristal sont des \u00e9lectrons n\u00e9gatifs.<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":1576,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_generate-full-width-content":"","footnotes":""},"categories":[10],"tags":[],"class_list":["post-82426","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-non-classifiee","generate-columns","tablet-grid-50","mobile-grid-100","grid-parent","grid-50"],"yoast_head":"<!-- This site is optimized with the Yoast SEO plugin v17.9 - 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