{"id":80186,"date":"2024-01-14T13:17:56","date_gmt":"2024-01-14T13:17:56","guid":{"rendered":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/semiconductor-tipo-n-definicion-propiedades-y-tipos\/"},"modified":"2024-01-16T20:26:21","modified_gmt":"2024-01-16T20:26:21","slug":"semiconductor-tipo-n-definicion-propiedades-y-tipos","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/es\/semiconductor-tipo-n-definicion-propiedades-y-tipos\/","title":{"rendered":"semiconductor tipo n | Definici\u00f3n, propiedades y tipos."},"content":{"rendered":"<h2>Semiconductores: Una Mirada a los Materiales del Futuro<\/h2>\n<p>Los semiconductores, elementos esenciales en la electr\u00f3nica moderna, se sit\u00faan en un punto medio en la escala de conductividad el\u00e9ctrica, entre los metales y los aislantes. Estos materiales \u00fanicos deben su nombre a esta caracter\u00edstica, siendo capaces de controlar su conductividad bajo diversas condiciones como la estructura qu\u00edmica, la temperatura, la iluminaci\u00f3n y la presencia de dopantes. El estudio de los semiconductores es vital en f\u00edsica del estado s\u00f3lido, especialmente en lo que respecta a la brecha de energ\u00eda o gap energ\u00e9tico.<\/p>\n<h2>La Brecha Energ\u00e9tica en los Semiconductores<\/h2>\n<p>En f\u00edsica del estado s\u00f3lido, la brecha energ\u00e9tica es un rango de energ\u00eda entre la banda de valencia y la banda de conducci\u00f3n donde no se permiten estados de electrones. Para los semiconductores, esta brecha es menor a 4eV (aproximadamente 1eV). La conductividad de los semiconductores es afectada por esta brecha, ya que los electrones necesitan energ\u00eda, por ejemplo, de la radiaci\u00f3n ionizante, para atravesarla y alcanzar la banda de conducci\u00f3n.<\/p>\n<h2>Tipos de Semiconductores<\/h2>\n<p>Los semiconductores se clasifican en dos tipos principales seg\u00fan sus propiedades electr\u00f3nicas:<\/p>\n<ul>\n<li><strong>Semiconductores Intr\u00ednsecos:<\/strong> Estos son semiconductores puros, compuestos por un \u00fanico elemento como el Silicio o el Germanio, sin dopaje intencional con impurezas. La conductividad en estos semiconductores se da cuando se calientan y algunos electrones adquieren suficiente energ\u00eda para liberarse de sus enlaces y convertirse en electrones libres en la banda de conducci\u00f3n.<\/li>\n<li><strong>Semiconductores Extr\u00ednsecos:<\/strong> Son semiconductores impurificados intencionalmente con dopantes para modificar sus propiedades electr\u00f3nicas. Se dividen en:<\/li>\n<ul>\n<li><strong>Semiconductores tipo p:<\/strong> Se introducen \u00e1tomos de impureza como el boro, creando \u00abhuecos\u00bb en la banda de valencia que act\u00faan como portadores de carga positiva.<\/li>\n<li><strong>Semiconductores tipo n:<\/strong> Se dopan con \u00e1tomos como el f\u00f3sforo, a\u00f1adiendo electrones en la banda de conducci\u00f3n que act\u00faan como portadores de carga negativa.<\/li>\n<\/ul>\n<\/ul>\n<h2>Propiedades Clave de Algunos Semiconductores<\/h2>\n<p>A continuaci\u00f3n, se presenta una tabla con propiedades de tres semiconductores intr\u00ednsecos y dos tipos p y n:<\/p>\n<table>\n<thead>\n<tr>\n<th>Semiconductor<\/th>\n<th>Tipo<\/th>\n<th>Gap de Banda (eV)<\/th>\n<th>Movilidad de Electrones (cm<sup>2<\/sup>\/Vs)<\/th>\n<th>Movilidad de Huecos (cm<sup>2<\/sup>\/Vs)<\/th>\n<th>Conductividad T\u00e9rmica (W\/mK)<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody>\n<tr>\n<td>Silicio (Si)<\/td>\n<td>Intr\u00ednseco<\/td>\n<td>1.12<\/td>\n<td>1500<\/td>\n<td>450<\/td>\n<td>150<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Germanio (Ge)<\/td>\n<td>Intr\u00ednseco<\/td>\n<td>0.67<\/td>\n<td>3900<\/td>\n<td>1900<\/td>\n<td>60<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Arseniuro de Galio (GaAs)<\/td>\n<td>Intr\u00ednseco<\/td>\n<td>1.43<\/td>\n<td>8500<\/td>\n<td>400<\/td>\n<td>46<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Silicio dopado con Boro (p-Si)<\/td>\n<td>p-tipo<\/td>\n<td>1.12<\/td>\n<td>1500<\/td>\n<td>1800<\/td>\n<td>150<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Silicio dopado con F\u00f3sforo (n-Si)<\/td>\n<td>n-tipo<\/td>\n<td>1.12<\/td>\n<td>1500<\/td>\n<td>4500<\/td>\n<td>150<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h2>Los Semiconductores Tipo n<\/h2>\n<p>Un semiconductor extr\u00ednseco dopado con \u00e1tomos donantes de electrones se denomina semiconductor tipo n, ya que la mayor\u00eda de los portadores de carga en el cristal son electrones negativos. El silicio, un elemento tetravalente, normalmente forma 4 enlaces covalentes con sus cuatro electrones de valencia. Los dopantes m\u00e1s comunes en el silicio son elementos del grupo III y V. Los elementos del grupo V (pentavalentes) tienen cinco electrones de valencia, lo que les permite actuar como donantes. Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con f\u00f3sforo (grupo V) resulta en un semiconductor tipo n, donde los electrones de conducci\u00f3n dominan en n\u00famero a los electrones donantes.<\/p>\n<p>As\u00ed, en los semiconductores tipo n, los electrones son los portadores mayoritarios, mientras que los huecos son los portadores minoritarios. Esta desigualdad en la concentraci\u00f3n de portadores se expresa en el n\u00famero absoluto diferente de electrones y huecos.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" src=\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/wp-content\/uploads\/2022\/01\/logo.png\" alt=\"n-type Semiconductors\" \/><\/p>\n<div style=\"text-align: center; font-size: 20px;\">\n    <a href=\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/n-type-semiconductors\/\">Original Article<\/a>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Un semiconductor extr\u00ednseco dopado con \u00e1tomos donantes de electrones se denomina semiconductor tipo n porque la mayor\u00eda de los portadores de carga en el cristal son electrones negativos.<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":1582,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_generate-full-width-content":"","footnotes":""},"categories":[9],"tags":[],"class_list":["post-80186","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-sin-categorizar","generate-columns","tablet-grid-50","mobile-grid-100","grid-parent","grid-50"],"yoast_head":"<!-- This site is optimized with the Yoast SEO plugin v17.9 - 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