{"id":80169,"date":"2024-01-14T13:17:15","date_gmt":"2024-01-14T13:17:15","guid":{"rendered":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/transistor-de-circuito-bipolar\/"},"modified":"2024-01-16T20:25:29","modified_gmt":"2024-01-16T20:25:29","slug":"transistor-de-circuito-bipolar","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/es\/transistor-de-circuito-bipolar\/","title":{"rendered":"Transistor de circuito bipolar"},"content":{"rendered":"

Transistor de Uni\u00f3n Bipolar<\/h2>\n

En el vasto mundo de los semiconductores, los materiales org\u00e1nicos e inorg\u00e1nicos juegan un papel crucial, permitiendo controlar su conducci\u00f3n el\u00e9ctrica mediante factores como la estructura qu\u00edmica, la temperatura, la iluminaci\u00f3n y la presencia de dopantes. El t\u00e9rmino \u00absemiconductor\u00bb se deriva de su conductividad el\u00e9ctrica, situada entre un metal (como el cobre o el oro) y un aislante (como el vidrio), con una brecha energ\u00e9tica menor de 4eV, aproximadamente 1eV.<\/p>\n

En la f\u00edsica del estado s\u00f3lido, esta brecha energ\u00e9tica o banda prohibida es un rango de energ\u00eda entre la banda de valencia y la banda de conducci\u00f3n donde no se permiten estados de electrones. A diferencia de los conductores, los electrones en los semiconductores necesitan adquirir energ\u00eda, por ejemplo, de la radiaci\u00f3n ionizante, para cruzar la banda prohibida y alcanzar la banda de conducci\u00f3n. Las propiedades de los semiconductores est\u00e1n determinadas por la brecha de energ\u00eda entre las bandas de valencia y de conducci\u00f3n.<\/p>\n

El Transistor de Uni\u00f3n Bipolar (BJT)<\/h2>\n

El transistor de uni\u00f3n bipolar (BJT, por sus siglas en ingl\u00e9s) es un dispositivo electr\u00f3nico de tres terminales que puede amplificar o conmutar se\u00f1ales electr\u00f3nicas. Est\u00e1 compuesto por la uni\u00f3n de tres capas de material semiconductor: una capa de tipo n, una de tipo p y otra de tipo n (en un transistor NPN) o de tipo p (en un transistor PNP). Las tres regiones del BJT se denominan emisor, base y colector.<\/p>\n

La base, situada entre el emisor y el colector, es extremadamente delgada para facilitar el flujo de portadores de carga del emisor al colector. El BJT opera controlando el flujo de portadores de carga (electrones o huecos) desde el emisor hacia el colector mediante una peque\u00f1a corriente en la base. Al aplicar una peque\u00f1a corriente a la base, se altera el voltaje en la uni\u00f3n base-emisor, permitiendo que una corriente mayor fluya desde el emisor al colector. Los BJTs se utilizan como amplificadores o interruptores, dependiendo de su configuraci\u00f3n en un circuito.<\/p>\n

En un circuito amplificador, una peque\u00f1a se\u00f1al de entrada en la base se amplifica a una se\u00f1al de salida m\u00e1s grande en el colector. En un circuito de interruptor, el BJT est\u00e1 completamente encendido o apagado, dependiendo del voltaje aplicado a la base. Los BJTs son ampliamente utilizados en aplicaciones electr\u00f3nicas, como amplificadores de audio, receptores de radio y circuitos l\u00f3gicos digitales, siendo preferidos en aplicaciones de bajo voltaje y baja potencia por su alta ganancia de corriente y velocidades de conmutaci\u00f3n r\u00e1pidas.<\/p>\n

Tipos de Semiconductores<\/h2>\n

Los semiconductores se clasifican en dos tipos b\u00e1sicos basados en sus propiedades electr\u00f3nicas:<\/p>\n