\nBandl\u00fccke:<\/strong> Halbleiter besitzen eine Bandl\u00fccke, das ist die Energie, die ben\u00f6tigt wird, um ein Elektron vom Valenzband in das Leitungsband zu bewegen. Die Gr\u00f6\u00dfe der Bandl\u00fccke bestimmt die f\u00fcr den Halbleiter erforderliche Energie, um ein Leiter zu werden.
\nDotierung:<\/strong> Halbleiter k\u00f6nnen mit Verunreinigungen dotiert werden, um ihre elektrischen Eigenschaften zu ver\u00e4ndern. Die Dotierung f\u00fchrt zus\u00e4tzliche Elektronen oder „L\u00f6cher“ in das Material ein, was dessen Leitf\u00e4higkeit erh\u00f6hen oder verringern kann.
\nTemperaturabh\u00e4ngigkeit:<\/strong> Die elektrische Leitf\u00e4higkeit von Halbleitern ist stark temperaturabh\u00e4ngig. Mit steigender Temperatur erh\u00f6ht sich in der Regel auch die Leitf\u00e4higkeit des Materials.
\nLichtempfindlichkeit:<\/strong> Einige Halbleiter sind lichtempfindlich und k\u00f6nnen in Anwendungen wie Photovoltaikzellen, Lichtsensoren und LEDs eingesetzt werden.
\nMinorit\u00e4tstr\u00e4ger:<\/strong> In Halbleitern sind Elektronen und L\u00f6cher als Minorit\u00e4tstr\u00e4ger bekannt. Diese Tr\u00e4ger k\u00f6nnen manipuliert und gesteuert werden, um die gew\u00fcnschten elektrischen Eigenschaften im Material zu erzeugen.<\/p>\n
Tabelle mit intrinsischen und extrinsischen Halbleitern<\/h2>\n
Hier ist eine Tabelle mit 3 intrinsischen Halbleitern sowie 2 p-Typ- und n-Typ-Halbleitern, zusammen mit 4 Schl\u00fcsseleigenschaften:<\/p>\n
Halbleiter\tTyp\tBandl\u00fccke (eV)\tElektronenmobilit\u00e4t (cm\u00b2\/Vs)\tL\u00f6chermobilit\u00e4t (cm\u00b2\/Vs)\tW\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit (W\/mK)
\nSilizium (Si)\tIntrinsisch\t1.12\t1500\t450\t150
\nGermanium (Ge)\tIntrinsisch\t0.67\t3900\t1900\t60
\nGalliumarsenid (GaAs)\tIntrinsisch\t1.43\t8500\t400\t46
\nBor-dotiertes Silizium (p-Si)\tp-Typ\t1.12\t1500\t1800\t150
\nPhosphor-dotiertes Silizium (n-Si)\tn-Typ\t1.12\t1500\t4500\t150
\nAluminium-dotiertes Galliumarsenid (p-GaAs)\tp-Typ\t1.43\t8500\t200\t46
\nSilizium-dotiertes Galliumarsenid (n-GaAs)\tn-Typ\t1.43\t8500\t800\t46<\/p>\n
Arten von Halbleitern<\/h2>\n
Halbleiter k\u00f6nnen auf der Grundlage ihrer elektronischen Eigenschaften in zwei grundlegende Typen eingeteilt werden:<\/p>\n
Intrinsische Halbleiter:<\/strong> Diese sind reine Halbleiter, die aus einem einzigen Element (z. B. Silizium, Germanium) bestehen und keine absichtliche Dotierung mit Verunreinigungen aufweisen. Intrinsische Halbleiter haben eine bestimmte Anzahl von Elektronen in ihrem Valenz- und Leitungsband. Sie leiten Strom, wenn sie erhitzt werden und einige Elektronen gen\u00fcgend Energie erhalten, um sich von ihren Bindungen zu l\u00f6sen und zu freien Elektronen im Leitungsband zu werden.
\nExtrinsische Halbleiter:<\/strong> Dies sind unreine Halbleiter, die absichtlich mit Verunreinigungen dotiert werden, um ihre elektronischen Eigenschaften zu \u00e4ndern. Extrinsische Halbleiter k\u00f6nnen weiter in zwei Typen unterteilt werden:
\np-Typ-Halbleiter:<\/em> Bei p-Typ-Halbleitern werden Verunreinigungsatome wie Bor in das Halbleitermaterial eingef\u00fchrt. Diese Verunreinigungen haben weniger Valenzelektronen als das Halbleitermaterial, was zur Entstehung von „L\u00f6chern“ (Abwesenheit von Elektronen) im Valenzband f\u00fchrt. Diese L\u00f6cher k\u00f6nnen Strom wie positive Ladungstr\u00e4ger leiten, was dem Material seine p-Typ-Bezeichnung verleiht.
\nn-Typ-Halbleiter:<\/em><\/p>\n![\"Characteristics](\"https:\/\/www.electricity-magnetism.org\/wp-content\/uploads\/2022\/01\/logo.png\"){kind=logo}
<\/p>\n